Infineon IPN50R3K0CEATMA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-04-15
LTD Date2024-10-15
Verwandte Teile
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPN50R3K0CEATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
INFINEON IPN50R3K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 VNew
MOSFET, N-CH, 500V, 2.6A, SOT-223 ROHS COMPLIANT: YES
Cost-effective drop-in replacement for DPAK, PG-SOT223-4-3, RoHS
Infineon SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Small Signal Field-Effect Transistor
MOSFET, N-CH, 500V, 2.6A, SOT-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):2.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:13V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 Ω
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation5 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7.3 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen