Infineon IPN50R1K4CEATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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INFINEON IPN60R1K5CEATMA1 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 VNew
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPN50R1K4CEATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 VNew
Infineon NMOS CoolMOS CE, Vds=550 V, 4.8 A, SOT-223, , 3
Cost-effective drop-in replacement for DPAK, PG-SOT223-4-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet, N-Ch, 500V, 4.8A, Sot-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(On):1.26Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:13V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPN50R1K4CEATMA1
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.4 Ω
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation5 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen