Infineon IPI08CN10N G
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI08CN10N G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3 / N-Channel 100 V 95A (Tc) 167W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
MOSFET, N CH, 95A, 100V, PG-TO262-3; Transistor Polarity:N Channel; Current Id Max:95A; Drain Source Voltage Vds:100V; On State Resistance:6.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:167W; Operating ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)95 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.66 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation167 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Power Dissipation167 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time24 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
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