Infineon IPI045N10N3GXKSA1
$ 1.488
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +2.96%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPI045N10N3GXKSA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IPI045N10N3GXKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFSL4310ZPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
onsemiFDI045N10A-F102
N-Channel 100 V 4.5 mOhm Through Hole POWERTRENCH MOSFET - I2PAK (TO-262)
InfineonIRFSL4410ZPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 97A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Con
InfineonIRF5210LPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -40A;TO-262;PD 200W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPI045N10N3GXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 100V, 137A, To-262 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPI045N10N3GXKSA1
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +2.96%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.32 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation214 W
Rise Time59 ns
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPI045N10N3GXKSA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen