Infineon IPDD60R125G7XTMA1
$ 1.94
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IPDD60R125G7XTMA1 | 3 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | IPDD60R125G7XTMA1 | 33 | 5h | |||||||||
| DigiKey | IPDD60R125G7XTMA1CT-ND | 1.060 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | IPDD60R125G7XTMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPDD60R125G7XTMA1 | 0 | 1700 | Tape & Reel |
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPDD60R125G7XTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 600V 20A 10-Pin HDSOP T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N-Ch, 600V, 20A, Hdsop; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.108Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPDD60R125G7XTMA1
Infineon Technologies introduces Double DPAK (D-DPAK), the first top-side cooled surface mount device (SMD) package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom.The benefits of the already existing high voltage technology 600 V CoolMOS™ G7 superjunction (SJ) MOSFET is combined with the innovative concept of top-side cooling, providing a system solution for high current hard switching topologies such as PFC and a high-end efficiency solution for LLC topologies.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals10
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity1700
PackagingTape & Reel
Power Dissipation120 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height2.35 mm
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