Infineon IPD70R600P7SAUMA1

Power MOSFET, N Channel, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.313
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
16AC33581161
4h
Newark
2
IPD70R600P7SAUMA11161Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPD70R600P7SAUMA14.9251
Rochester ElectronicsIPD70R600P7SAUMA110.000
2h
Future Electronics
2
IPD70R600P7SAUMA102500Tape & Reel

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPD70R600P7SAUMA1 herunter.

ODG (Origin Data Global)

Datasheet13 SeitenVor 0 Jahren

IHS

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-48.71%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPD70R600P7SAUMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD70R600P7SAUMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
Mosfet, N-Ch, 700V, 8.5A, 150Deg C/43.1W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:700V; Continuous Drain Current Id:8.5A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD70R600P7SAUMA1
Newark
Developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V CoolMOS™ P7 enables best fit for target applications in terms of:Efficiency and thermalsEase-of-useEMI behavior
Infineon

Bilder

TME
Farnell
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD70R600P7S
  • SP001491636