Infineon IPD65R1K0CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
$ 0.314
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPD65R1K0CEAUMA133.622
20h
Farnell
2
IPD65R1K0CEAUMA101Cut Tape
6h
Microchip USAIPD65R1K0CEAUMA12.2923500
1d
Verical
3
IPD65R1K0CEAUMA120.000881
Component Stockers USAIPD65R1K0CEAUMA110.566
3d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPD65R1K0CEAUMA1 herunter.

IHS

Datasheet14 SeitenVor 0 Jahren

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPD65R1K0CEAUMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-04-15
LTD Date2024-10-15

Verwandte Teile

InfineonIPD70R950CEAUMA1
Transistor MOSFET N-CH 750V 7.4A 3-Pin TO-252 T/R
Details
STMicroelectronicsSTD9HN65M2
N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Details
InfineonIPD65R950C6ATMA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.5A; 37W; PG-TO252-3
Details
InfineonIPD65R950CFDATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 3.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Details
onsemiFCD3400N80Z
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 2 A, 3.4 Ω, DPAK
Details
onsemiFQD2N60CTM-WS
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1.9 A, 4.7 Ω, DPAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD65R1K0CEAUMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
650V 7.2A 68W 1惟@10V,1.5A 3.5V@200uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Fmall Co., Limited
Power Field-Effect Transistor, 650V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
Infineon NMOS CoolMOS CE, Vds=650 V, 7.2 A, TO-252, , 3
UnikeyIC
Infineon MOSFET IPD65R1K0CEAUMA1
RS APAC
650VCoolMOSªCEPowerTransistor, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
IPD65R1K0 650V AND 700V COOLMOS N-CHANN;
Farnell
Mosfet, N-Ch, 650V, 7.2A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.2A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.86Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPD65R1K0CEAUMA1
Newark
CoolMOS™ CE is suitable for hard and soft switching applications and as modern superjunction, it delivers low conduction and switching losses improving efficiency and ultimately reduces power consumption. 600 V, 650 V and 700 V CoolMOS™ CE combine the optimal R DS(on) and package offering suitable in low power chargers for mobile phones and tablets.
Infineon

Bilder

element14 APAC
RS

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD65R1K0CE
  • SP001421368