Infineon IPD60R650CEAUMA1

Mosfet, N-Ch, 600V, 9.9A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R650CEAUMA1
$ 0.369
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPD60R650CEAUMA13.6405Cut Tape
Rochester ElectronicsIPD60R650CEAUMA123.328
14h
DigiKey
2
448-IPD60R650CEAUMA1CT-ND1.4751Cut Tape
AvnetIPD60R650CEAUMA102500
1d
Future Electronics
2
IPD60R650CEAUMA102500Tape & Reel

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPD60R650CEAUMA1 herunter.

IHS

Datasheet16 SeitenVor 8 Jahren
Datasheet16 SeitenVor 0 Jahren

Infineon

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-3.54%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPD60R650CEAUMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonBSS127H6327XTSA2
Single N-Channel 600 V 500 Ohm 0.65 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23
Details
InfineonIPN60R2K1CEATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Surface Mount
Details
InfineonBSP125H6327XTSA1
Single N-Channel 600 V 45 Ohm 4.5 nC SIPMOS® Power Mosfet - SOT-223
Details
onsemiFQD1N60CTM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 1 A, 11.5 Ω, DPAK
Details
STMicroelectronicsSTN1NK60Z
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 package
Details
Diodes Inc.BSS127S-7
Single N-Channel 600 V 190 Ohm 1.08 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD60R650CEAUMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Mosfet, N-Ch, 600V, 9.9A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R650CEAUMA1
Newark
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
MOSFET, N-CH, 600V, 9.9A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow
element14 APAC
Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV
Infineon

Bilder

Augswan
element14 APAC
TME
RS
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD60R650CE
  • SP001396884