Infineon IPD60R460CEATMA1
$ 0.351
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IPD60R460CEATMA1 | 815 | 2h | |||||||||
| Component Stockers USA | IPD60R460CEATMA1 | 978 | >1wk | |||||||||
| Worldway Electronics | IPD60R460CEATMA1 | 17.077 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Aztech | IPD60R460CEATMA1 | 11.447 | 21h | |||||||||
| UnikeyIC | IPD60R460CEATMA1 | 770 | 391 | Tape & Reel | 1d |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-08-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD7ANM60N
N-channel 600 V, 5 A, 0.84 Ohm typ., MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD60R460CEATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 9.1A 3-Pin TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
74W(Tc) 20V 3.5V@ 280¦ÌA 28nC@ 10 V 1N 600V 460m¦¸@ 3.4A,10V 9.1A 620pF@100V TO-252 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance460 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance620 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation30 W
Rds On Max460 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.55 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen