Infineon IPD220N06L3 G
$ 0.365
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Mouser | 726-IPD220N06L3G | 10.500 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-IPD220N06L3 G | 2.830 | 105 | 20h | ||||||||
| Fmall Co., Limited | IPD220N06L3 G | 40.820 | >1wk | |||||||||
| UnikeyIC | IPD220N06L3 G | 1.860 | 1 | Tape & Reel | 18h | |||||||
| LCSC | C536741 | 61 | 1 | 5h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2021-12-31
LTD Date2022-06-30
Verwandte Teile
InfineonIPD30N08S2L21ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 30 A, 0.0159 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD30N08S222ATMA1
75V, N-Ch, 21.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
InfineonIPD30N06S4L23ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 30A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD30N06S4L23ATMA2
STMicroelectronicsSTD35P6LLF6
P-channel 60 V, 0.025 Ohm typ., 35 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD30N6LF6AG
Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mOhm typ., 24 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD220N06L3 G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
36W 20V 7nC@ 4.5V 1N 60V 22m¦¸@ 10V 30A 1.2nF@ 30V TO-252 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation36 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen