Infineon IPD096N08N3GATMA1
$ 0.617
NRND
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 34AC1666 | 89 | 1 | 2d | ||||||||
| Newark | IPD096N08N3GATMA1 | 89 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | IPD096N08N3GATMA1 | 2.057 | 19h | |||||||||
| DigiKey | IPD096N08N3GATMA1CT-ND | 2.316 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPD096N08N3GATMA1 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD096N08N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 80V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 80V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 80V, 73A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 73A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0079ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.8V; Power Dissipation Pd: 100W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS 3 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)73 A
Drain to Source Resistance9.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance1.81 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance9.6 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation100 W
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen