Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-11
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
InfineonAUIRFR8403
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD036N04LG, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
40V 90A 94W 3.6m惟@10V,90A 2V@45uA 1 N-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS
94W 20V 59nC 1N 40V 3.6m¦¸@ 10V 4.7nF@ 20V TO-252-2 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 90A, 40V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:94W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Power Dissipation Pd:94W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation94 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation94 W
Rds On Max3.6 mΩ
Rise Time5.4 ns
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time9.3 ns
Dimensions
Height2.41 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen