Infineon IPB65R190CFDATMA1
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Authorized Distributors
1
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
-
Power Dissipation
-
151 W
Input Capacitance
-
1.85 nF
Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB65R190CFDATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
151W(Tc) 20V 4.5V@ 730µA 68nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 190mΩ@ 7.3A,10V 17.5A 1.85nF@100V TO-263 SMD mount 10mm*9.25mm*4.4mm
MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.17; Available until stocks are exhausted Alternative available
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen