Infineon IPB65R095C7ATMA2

Name: Infineon IPB65R095C7ATMA2
Brand: Infineon
SKU: IPB65R095C7ATMA2

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 2.784

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	02AH4433	326	1		6,130	4,100	2,960	2,910	2,910	15h
Newark		IPB65R095C7ATMA2	335	1	Cut Tape	2,550	2,550	2,550	2,550	2,550
Arrow Electronics	2	IPB65R095C7ATMA2	2.000	1		2,952	2,952	2,952	2,952	2,952
Rochester Electronics		IPB65R095C7ATMA2	1.000					2,430	2,180	2,050	13h
DigiKey	3	IPB65R095C7ATMA2CT-ND	2.151	1	Cut Tape	6,620	4,442	3,207	2,982	2,982

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IHS

Datasheet15 SeitenVor 0 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-10-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB65R095C7ATMA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3 / N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Win Source

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Mosfet, N-Ch, 650V, 24A, To-263; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:24A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.5V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB65R095C7ATMA2

Newark

Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Infineon

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: