Infineon IPB60R080P7ATMA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-09-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB60R080P7ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK / N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, N-Ch, 600V, 37A, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:37A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.069Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)37 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.18 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation129 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation129 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen