Infineon IPB144N12N3GATMA1
$ 1.09
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IPB144N12N3GATMA1 | 25.071 | 3h | |||||||||
| DigiKey | IPB144N12N3GATMA1CT-ND | 150 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | IPB144N12N3GATMA1 | 240 | 1 | Cut Tape | 3h | |||||||
| Mouser | 726-IPB144N12N3GATMA | 3.452 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | IPB144N12N3GATMA1 | 1.942 | 600 | 2d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +144%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB144N12N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 120V, 41A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 41A; Drain Source Voltage Vds: 120V; On Resistance Rds(on): 0.0123ohm; Rds(on) Test Voltag; Available until stocks are exhausted
The 120 V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behavior, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications.The 120 V OptiMOS™ technology gives new possibilites for optimized solutions.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +144%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Resistance14.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.42 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance14.4 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation107 W
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen