Infineon IPB073N15N5ATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB073N15N5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 150V, 114A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB073N15N5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 114A I(D), 150V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 150V, 114A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:114A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.8
OptiMOS™ 5 150V power MOSFETs from Infineon are particularly suitable for low voltage drives such as forklift and e-scooter, as well as telecom and solar applications. The products offer a breakthrough reduction in R DS(on) (up to 25% compared to the next best alternative in SuperSO8) and Q rr without compromising FOM gd and FOM OSS, effectively reducing design effort whilst optimizing system efficiency. Furthermore, the ultra-low reverse recovery charge (Q rr = 26 nC in SuperSO8) increases commutation ruggedness.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)114 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance7.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.3 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation214 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.82 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen