Infineon IPB032N10N5ATMA1
$ 1.88
Production
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB032N10N5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7 / N-Channel 100 V 166A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK 7pin package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications, PG-TO263-7, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 166A I(D), 100V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPB032N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.43%
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)166 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.2 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation187 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time16.2 ns
Dimensions
Height4.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen