Infineon IPB019N08NF2SATMA1

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 1.53
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Country of OriginAustria, Germany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2022-09-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPB019N08NF2SATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 80V, 166A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB019N08NF2SATMA1
Power Field-Effect Transistor, 166A I(D), 80V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPB019N08NF2S
  • SP005571690