Infineon IPA90R1K2C3XKSA2
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPA90R1K2C3XKSA2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 900V 5.1A 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 8.8pF 50volts C0G +/-0.25pF
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:31W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:5.1A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:31W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Dual Supply Voltage900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance710 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation31 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time20 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time400 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Dimensions
Height16.15 mm
Length10.65 mm
Width4.85 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen