Infineon IMW65R107M1HXKSA1
$ 2.9
NRND
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-12-16
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IMW65R107M1HXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Sic Mosfet, N-Ch, 650V, 20A, To-247-3; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:3Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:75W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMW65R107M1HXKSA1
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness, and ease of use. The IMW65R107M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. This SiC MOSFET comes in a TO247 3-pin package with a cost-effective performance.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance142 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12.6 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height25.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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