Infineon IMBG65R072M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R072M1HXTMA1
Brand: Infineon
SKU: IMBG65R072M1HXTMA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263

$ 3.589

NRND

Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

Alle Preisnachlässe anzeigen

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IMBG65R072M1HXTMA1	953	1		6,439	5,114	3,845	3,654	3,654
Rochester Electronics		IMBG65R072M1HXTMA1	2.677					3,140	2,810	2,640	16h
DigiKey	2	448-IMBG65R072M1HXTMA1CT-ND	959	1	Cut Tape	8,010	5,429	3,967	3,844	3,844
Newark		IMBG65R072M1HXTMA1	0	1	Cut Tape	7,260	5,810	4,700	3,700	3,700
Avnet		IMBG65R072M1HXTMA1	0	1K					3,589	3,221	4d

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -40.39%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IMBG65R072M1HXTMA1 herunter.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:

-40.39%

Powered by

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IMBG65R072M1HXTMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLE	eCAD	mCAD	DATEIEN
Component Search Engine	SymbolFußabdruck		Herunterladen

Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.

Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-01-11

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IMBG65R072M1HXTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 650V, 33A, To-263-7; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:140W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBG65R072M1HXTMA1

Newark

CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness, and ease of use. The IMBG65R072M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is a compact SMD 7 pin SiC MOSFET built on a state-of-the-art Infineon SiC trench technology and used in mid power applications. It is optimized to enable max system performance, compactness and reliability.

Infineon

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt: