Infineon IMBG120R140M1HXTMA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IMBG120R140M1HXTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 1200V 18A 7-Pin TO-263 T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1200V, 0.239ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 18A, To-263-7; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:107W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBG120R140M1HXTMA1
The CoolSiC™ 1200 V, 140 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L (TO-263-7) package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation. The low power losses of CoolSiC technology, combined with .XT interconnection technology in a new 1200 V optimized SMD package, enables top efficiency and passive cooling potential in applications such as drives, chargers and industrial powers supplies.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Resistance239 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation107 W
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height4.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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