Infineon IMBF170R450M1XTMA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-04-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IMBF170R450M1XTMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 1700V 9.8A 7-Pin TO-263 T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 1700V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.
Mosfet, Sic, N-Ch, 1.7Kv, 9.8A, To-263; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.8A; Drain Source Voltage Vds:1.7Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:107Wrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBF170R450M1XTMA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.7 kV
Drain to Source Resistance390 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.7 kV
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage1.7 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation107 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height4.5 mm
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