Infineon IKZ75N65ES5XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-04-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKZ75N65ES5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-4, RoHS
Infineon SCT
Transistor, Igbt, N-Ch, 650V, 80A, To247; Dc Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.42V; Power Dissipation Pd:395W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-247; No. Of Rohs Compliant: Yes |Infineon IKZ75N65ES5XKSA1
Hard-switching 650 V, 75 A high speed TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT in TO-247-4 package with an extra Kelvin emitter pin. The TO-247 4pin provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop and brings TRENCHSTOP™ 5 IGBT to the next level of best in class switching performance.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current80 A
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation395 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation395 W
Turn-Off Delay Time405 ns
Turn-On Delay Time46 ns
Dimensions
Height25.22 mm