Infineon IKP15N60TXKSA1

Infineon IKP15N60TXKSA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
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Obsolete
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Datasheet13 SeitenVor 10 Jahren
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Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15

Verwandte Teile

Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
NGTB15N60EG 600 V 30 A 78/130 ns Short Circuit Rated IGBT Flange Mount-TO-220
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronicsSTGP15H60DF
IGBT 600V 30A 115W TO220 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronicsSTGF10NB60SD
STGF10NB60SD Series 600 V 23 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
STMicroelectronicsSTGF15H60DF
STGF15Hxx Series 600 V 30 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220FP

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IKP15N60TXKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Infineon IKP15N60TXKSA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
IGBT, General Purpose, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, N, 600V, 15A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:15A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:130W; Power Dissipation Pd:130W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IKP15N60T
  • SP000683064