Infineon IKD10N60RFATMA1
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-24
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGD14NC60KT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / IGBT 600V 25A 80W DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKD10N60RFATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
150W 20A 600V FS(Field Stop) TO-252-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
IGBT, 20 A, 1.2 V, 150 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT 600 V PG-TO252-3
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
晶体管, IGBT, 600V, 20A, 150W, TO-252;
IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
The RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.
Igbt, Single, 600V, 20A, To-252; Continuous Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.2V; Power Dissipation:150W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Reverse Recovery Time72 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen