Infineon FS15R12VT3BOMA1
$ 16.86
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2023-04-30
LTD Date2024-01-31
Verwandte Teile
Rochester ElectronicsDDB6U30N08VRBOMA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
MicrochipAPTGT75DA60T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT75DA60T1G
MicrochipAPTGT100DA60T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT100DA60T1G
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon FS15R12VT3BOMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Module N-CH 1200V 24A 86000mW 11-Pin EASY750-1 Tray
1200 V, 15 A sixpack IGBT module, AG-EASY750-1, RoHS
Infineon SCT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 24A
86W 2.15V@ 15V,15A 24A 32.4mm*25.4mm*12mm
Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 24A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:24A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.7V; Power Dissipation Pd:86W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FS15R12VT3BOMA1
EasyPACK 750 1200V sixpack IGBT module with IGBT3 Fast. | Summary of Features: High power density; Established Easy module concept; Integrated temperature sensor available; Low stray inductance module design; RoHS-compliant modules | Benefits: Compact module concept; Optimized customers development cycle time and cost; Configuration flexibility; Fast, reliable and low cost mounting concept | Target Applications: drives; ups; aircon; medical; batterycharger; solar
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageModule
MountPCB, Screw
Number of Pins11
Number of Terminals11
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current24 A
Max Collector Current24 A
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation86 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements6
Package Quantity40
Power Dissipation86 W
Turn-Off Delay Time370 ns
Turn-On Delay Time47 ns
Dimensions
Height12.3 mm
Length32.4 mm
Width25.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen