Infineon FP35R12KT4

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
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IHS

Datasheet11 SeitenVor 0 Jahren

element14 APAC

Farnell

iiiC

Lieferkette

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon FP35R12KT4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
Verical
EconoPIM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
Win Source
210W 1.85V hex 1.2KV 35A AG-ECONO2-4 107.5mm*45mm*17mm
UnikeyIC
IGBT Transistors / Modules ROHS
ODG (Origin Data Global)
Insulated Gate Bipolar Transistor
IHS
IGBT, L POWER, 1200V, 35A, ECONOPIM; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:210W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:EconoPIM; No. of Pins:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:210W
element14 APAC

Bilder

Augswan
Farnell
UTSource
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA