Infineon FP25R12W2T7BPSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 35-Pin Tray
$ 30.806
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IHS

Datasheet14 SeitenVor 0 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-06-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon FP25R12W2T7BPSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 35-Pin Tray
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES
IGBT MODULE 1200V 25A AG-EASY2B
Converter-Brake-Inv 1200V 10A EASY1B
Igbt, Pim, 1.2Kv, 25A, Module; Continuous Collector Current:25A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:20Mw; Operating Temperature Max:175°C; Igbt Termination:Press Fit; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FP25R12W2T7BPSA1

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FP25R12W2T7
  • SP003654854