Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Module N-CH 1200V 39A 175W 23-Pin EASY2B-2 Tray
Igbt Module; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:25A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:175W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.2Kv; Núm. De Contactos:23 |Infineon FP25R12W2T4_B11
IGBT, LOW POW, 1200V, 25A, EASYPIM; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:25A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:175W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:Module; No. of Pins:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:175W
EasyPIM™ 2B 1200 V, 25 A reverse conducting PIM IGBT module with fast Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and PressFIT Contact Technology. Also available with Thermal Interface Material or as variation with soldering connection technology: FP25R12W2T4.Smaller inverter size can be realized by replacing with the FP25R12W1T7_B11 an EasyPIM™1B module with TRENCHSTOP™ IGBT7.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins23
Number of Terminals23
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.25 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current39 A
Max Collector Current39 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation175 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements7
Package Quantity15
Power Dissipation175 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time190 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height12.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen