Infineon FF600R12ME4BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 995A 4050000mW Automotive 11-Pin ECONOD-3 Tray
$ 213.85
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
DigiKey448-FF600R12ME4BOSA1-ND41Tray
Future Electronics
2
FF600R12ME4BOSA1010Tray
AvnetFF600R12ME4BOSA1010
6d
Arrow ElectronicsFF600R12ME4BOSA1010
FarnellFF600R12ME4BOSA101
20h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon FF600R12ME4BOSA1 herunter.

Infineon

Datasheet1 SeiteVor 13 Jahren

IHS

Future Electronics

_legacy Avnet

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-86.11%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon FF600R12ME4BOSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)

Verwandte Teile

InfineonFF450R12ME3BOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 2100W 11-Pin ECONOD-3 Tray
Details
InfineonFF450R12KT4HOSA1
IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
Details
InfineonBSM200GB120DLC
Insulated Gate Bipolar Transistor, 420A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Details
MicrochipAPTGT400DU120G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 560A 1785000mW 7-Pin Case SP-6 Tube
Details
MicrochipAPTGT600SK60G
APTGT600x Series 600 V 700 A Trench + Field Stop IGBT Power Module - SP6
Details
MicrochipAPTGT600A60G
APTGT600x Series 600 V 700 A Trench + Field Stop IGBT® Power Module - SP6
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon FF600R12ME4BOSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 995A 4050000mW Automotive 11-Pin ECONOD-3 Tray
Verical
Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 995A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:995A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.75V; Power Dissipation Pd:4.05Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FF600R12ME4BOSA1
Newark
EconoDUAL3 1200V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC | Summary of Features: Low V(CEsat); T(vj op) = 150C; V(CEsat) with positive Temperature Coefficient; High Power Density; Isolated Base Plate; Standard Housing | Benefits: Compact Modules; Easy and most reliable assembly; No Plugs and Cables required; Ideal for Low Inductive System Designs | Target Applications: drives; solar; ups; induction-heating; welding
Infineon

Bilder

Farnell
iiiC
UTSource
Galco

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FF600R12ME4
  • FF600R12ME4.
  • SP000635448