Infineon F4150R12KS4BOSA1

EconoPACK™ 3 1200V fourpack IGBT module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC
$ 117.587
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon F4150R12KS4BOSA1 herunter.

Infineon

Datasheet1 SeiteVor 14 Jahren

IHS

Newark

_legacy Avnet

TME

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-35.61%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon F4150R12KS4BOSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Verwandte Teile

InfineonF4-150R06KL4
Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 600V 180A 595000mW 7-Pin 34MM-1 Tray
Infineon FS150R12PT4BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V Module, Panel Mount
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT100DA60T1G
Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 340000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Trans IGBT Module N-CH 1200V 220A 690000mW 7-Pin Case SP-6 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon F4150R12KS4BOSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

EconoPACK™ 3 1200V fourpack IGBT module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC
Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960W 26-Pin ECONO3-4 Tray
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 180A ±20V Screw Tray
Avnet Japan
1200 V, 150 A fourpack IGBT module
Insulated Gate Bipolar Transistor
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 180A; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 180A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 3.2V; Power Dissipation Pd: 960W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transisto
Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 180A; Continuous Collector Current:180A; Collector Emitter Saturation Voltage:3.2V; Power Dissipation:960W; Operating Temperature Max:125°C; Igbt Termination:Press Fit; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies F4150R12KS4BOSA1

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • F4-150R12KS4
  • SP000100435