Infineon BUZ73A
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1984-10-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2011-02-28
LTD Date2011-08-31
Verwandte Teile
InfineonIRF630NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.3Ohm;ID 9.3A;TO-220AB;PD 82W;VGS +/-20V
InfineonIRF640NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-220AB;PD 150W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BUZ73A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
5.5 A 200 V 0.6 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
SIPMOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:5.5A; On Resistance, Rds(on):0.6ohm; Package/Case:TO-220AB; Power Dissipation, Pd:40W; Current, Idm pulse:22A; Drain-Source Breakdown Voltage:200V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:40W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:5.5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:40W; Power Dissipation Pd:40W; Power Dissipation Ptot Max:40W; Pulse Current Idm:22A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Current Rating5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance530 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time40 ns
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Lead Pitch2.54 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen