Infineon BSZ097N10NS5ATMA1
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Lieferkette
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonBSZ075N08NS5ATMA1
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL NORMAL LEVEL, POWER-TRANSISTOR, 80V, ID 73A
InfineonBSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON / N-Channel 80 V 40A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Diodes Inc.DMT10H010LSS-13
Mosfet, N-Ch, 100V, 29.5A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT10H010LSS-13
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSZ097N10NS5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.0083 ohm, TSDSON, Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 100V, 40A, Tsdson; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0083Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ097N10NS5ATMA1
Infineon’s OptiMOS™ 5 industrial power MOSFET devices in 80 V and 100 V are designed for synchronous rectification in telecom and server power supply application, but also the ideal choice for other applications such as solar, low voltage drives and laptop adapter.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance9.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9.7 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Rds On Max9.7 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen