Infineon BSZ096N10LS5ATMA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-04-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSZ096N10LS5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package, PG-TSDSON-8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 100V, 40A, 150DEG C, 69W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipation Pd: 69W; Transistor Case Style: TSDSON-FL; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS 5 Series; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance9.6 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen