Infineon BSZ034N04LSATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-11-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonBSZ028N04LSATMA1
N-Ch MOSFET 63W 40V 20V 1.2V 45nC 2.2mΩ 40A TSDSON-8 SMD, Adhesive Mount 3.3mm × 3.3mm × 1.1mm
VishaySIR414DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSZ034N04LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Ch MOSFET 40V 2.1kW 2V 25nC@10V 13nC@4.5V 3.4mΩ@10V 1.8nF@20V TSDSON-8 3.3mm × 3.3mm × 1.1mm
OPTIMOS POWER-MOSFET Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N-CH, 40V, 40A, TSDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Resistance4.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Dual Supply Voltage40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3.4 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation52 W
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen