Infineon BSZ033NE2LS5ATMA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31
Verwandte Teile
InfineonBSZ031NE2LS5ATMA1
Mosfet, n-Ch,25V,40A, tsdson Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ031NE2LS5ATMA1
onsemiFDMS0308AS
2.5W(Ta),50W(Tc) 20V 3V@1mA 47nC@ 10 V 1N 30V 2.8m¦¸@ 24A,10V 24A,49A 3nF@15V QFN 6mm*5mm*1.1mm
InfineonIRFH8316TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonIRFH5255TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSZ033NE2LS5ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET Devices; INFINEON; BSZ033NE2LS5ATMA1; 25 V; 18 A; 16 V; 2.1 W
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 25V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
90004001,场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 40A, 150度 C, 30W;
With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
Mosfet, N-Ch, 25V, 40A, 150Deg C, 30W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(On):0.0027Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon BSZ033NE2LS5ATMA1
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance910 pF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max3.3 mΩ
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen