Infineon BSP295L6327
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.351
Stock
469,388
644,258
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
1.8 A
1.8 A
Threshold Voltage
1.1 V
-
Rds On Max
300 mΩ
300 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
368 pF
368 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-05-15
LTD Date2013-11-15
Verwandte Teile
InfineonBSP149 L6906
MOSFET, N-CH, 200V, 660MA, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSP295L6327, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
SIPMOS SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, LOGIC, REEL 1K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:1.7A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.1V; Case Style:SOT-223; ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223-4
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Current Rating1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Fall Time9.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance368 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max300 mΩ
Rise Time9.9 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time5.4 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Width6.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen