Infineon BSM150GB120DN2

Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 1200V V(BR)CES
Obsolete
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IHS

Datasheet11 SeitenVor 29 Jahren

Elcodis

iiiC

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 800000mW 7-Pin 62MM-1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 290A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 220A 690000mW 7-Pin Case SP-6 Tube
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 208000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSM150GB120DN2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 210A I(C), 1200V V(BR)CES
IGBT 150A 1200V DUAL
AG-62MM-1 Pre-ordered transistors ROHS
MT28F400B5WG-6BE MICRON
Infineon 2014+RoHS

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSM 150 GB 120 DN2
  • BSM150GB 120DN2