Infineon BSC090N03LSGATMA1

Trans Mosfet N-ch 30V 13A 8-PIN Tdson Ep T/r
$ 0.239
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC090N03LSGATMA1 herunter.

Newark

Datasheet10 SeitenVor 12 Jahren

_legacy Avnet

iiiC

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-11.57%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BSC090N03LSGATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2026-09-30

Verwandte Teile

Surface Mount Ceramic Multilayer Capacitor 0.0015uF 5% C0G 50V 0805 Paper T/R
onsemiFDMS7680
FDMS7680 Series 30 V 6.9 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - POWER-56
Transistor MOSFET N-CH 30V 53A 8-Pin PG-TDSON T/R
onsemiFDS6670AS
N-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
onsemiFDMS7692A
FDMS7692A Series 30 V 13.5 A 8 mOhm SMT N-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
InfineonIRF8714TRPBF
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 8.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC090N03LSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:48A; On Resistance Rds(On):0.0075Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; Product Range:- Rohs Compliant: Yes
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
MOSFET, N CH, 48A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:32W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:48A; Power Dissipation Pd:32W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC090N03LS G
  • BSC090N03LS-G
  • BSC090N03LSG
  • BSC090N03LSGATMA1.
  • SP000275115