Infineon BSC077N12NS3GATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 98 A, 120 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3 V
$ 1.378
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC077N12NS3GATMA1 herunter.

Factory Futures

Datasheet10 SeitenVor 15 Jahren

IHS

Newark

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-2.89%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BSC077N12NS3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Verwandte Teile

N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 102A, 7.2mΩ
Single N-Channel 100V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
InfineonIRFS4310ZPBF
Single N-Channel 100 V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
InfineonAUIRFS4310Z
MOSFET, N-CH, 100V, 127A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
STMicroelectronicsSTL110N10F7
N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
STMicroelectronicsSTH110N10F7-2
N-channel 100 V, 4.9 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC077N12NS3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET Transistor, N Channel, 98 A, 120 V, 0.0066 ohm, 10 V, 3 V
139W 20V 2V@ 250uA 66nC@ 10V 1N 120V 7.7m¦¸@ 10V 95A 4.3nF@ 60V TDSON-8 , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
Trans MOSFET N-CH 120V 13.4A 8-Pin TDSON EP
MOSFET N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3
Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 120V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC TRANSCEIVER FULL 4/5 28SSOP
MOSFET, N CH, 120V, 98A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:98A; Drain Source Voltage Vds:120V; On Resistance Rds(on):0.0066ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Po
The 120 V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behavior, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications.The 120 V OptiMOS™ technology gives new possibilites for optimized solutions.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC077N12NS3 G
  • BSC077N12NS3G
  • SP000652750