Infineon BSC036NE7NS3GATMA1

2.5KW 20V 3.8V 63.4NC@ 10V 1N 75V 3.6M¦¸@ 10V 100A 4.4NF@ 37.5V Tdson(ep) , 5.15MM*590CM*1MM
$ 1.17
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC036NE7NS3GATMA1 herunter.

element14 APAC

Datasheet9 SeitenVor 14 Jahren

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-10.83%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BSC036NE7NS3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 75 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.1 V
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
onsemiFDMS86540
PT7 60V/20V Nch PowerTrench Mosfet - 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM
Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R / OptiMOS3 Power-Transistor
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 100A, 3.9mΩ
onsemiFDD86540
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 50 A, 136 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor FDD86540

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC036NE7NS3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

2.5KW 20V 3.8V 63.4nC@ 10V 1N 75V 3.6m¦¸@ 10V 100A 4.4nF@ 37.5V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Trans MOSFET N-CH 75V 20A 8-Pin TDSON T/R
Power Field-Effect Transistor, 159A I(D), 75V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 75V, 100A, TDSON-8
BSC036NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
BSC036NE7NS3G INFINEON TDSON-8
MOSFET, N-CH, 75V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.1V;
The 75V OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC036NE7NS3 G
  • BSC036NE7NS3G
  • SP000907920