Infineon BSC0302LSATMA1
$ 1
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | BSC0302LSATMA1 | 9.302 | 13h | |||||||||
| Avnet | BSC0302LSATMA1 | 0 | 5K | 15h | ||||||||
| Farnell | BSC0302LSATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 13h | |||||||
| Win Source | WS-BSC0302LSATMA1 | 20 | 23 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | BSC0302LSATMA1 | 19.658 | 7 | Tape & Reel | 1d |
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-12-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC0302LSATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-Channel 120V 99A 8-Pin SOIC
Mosfet, N-Ch, 120V, 99A, Pg-Tdson Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC0302LSATMA1
MOSFET, N-CH, 120V, 99A, PG-TDSON; Available until stocks are exhausted
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfolio targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS™ low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS™ PD features quality products in compact, lightweight packages.Click here to view full portfolio.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)99 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation156 W
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen