Infineon BSC028N06NSTATMA1

60 V 24 A 100 A 3 W 2.8mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - PG-TDSON-8
$ 1.1
EOL
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon BSC028N06NSTATMA1 herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 13 Jahren

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+43.88%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon BSC028N06NSTATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BSC028N06NSTATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

60 V 24 A 100 A 3 W 2.8mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - PG-TDSON-8
Transistor MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R
OptiMOS™ 5 power MOSFET with enhanced temperature rating for improved robustness, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON / N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Power Field-Effect Transistor, 137A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3W 20V 37nC@ 10V 60V 2.8m¦¸@ 10V 2.7nF@ 30V TDSON-8-EP
Infineon MOSFET BSC028N06NSTATMA1
N-CH 60V 100A 2,3mOhm SuperSO8
BSC028N06 - N-CHANNEL POWER MOSF
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, Tdson; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.8V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC028N06NSTATMA1
OptiMOS™ 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness.Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BSC028N06NST
  • SP001666498