Infineon BSC017N04NSGATMA1
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-12-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonBSC035N04LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0029 ohm, TDSON, Surface Mount
VishaySIS434DN-T1-GE3
Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon BSC017N04NSGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N CH, 100A, 40V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N; Current Id Max:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:139W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON-8; No. of Pins:8; Transistor Type:Power MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.6 nF
Max Dual Supply Voltage40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation139 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.7 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation139 W
Rise Time5.8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen