Infineon BGS12SN6E6327XTSA1

BGSF12SN6 SPDT 6 GHz 0.65 dB SMT Wideband RF Switch - TSNP-6
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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Farnell

Datasheet16 SeitenVor 9 Jahren

IHS

Infineon

Newark

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.01
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-15
LTD Date2025-12-15

Verwandte Teile

NXP SemiconductorsBGA2817,115
RF Amplifier, 24.4 dB Gain / 3.8 dB Noise, DC to 2.2 GHz, 3 V to 3.6 V Supply, SOT-363-6
NXP SemiconductorsBGA2800,115
RF Amplifier 6CH MMIC Amp 3.7 dB 3.3V 10.5mA 3.2GHz
NXP SemiconductorsBGA2866,115
BGA2866 Series 5.5 V 17.4 mA Surface Mount MMIC Wideband Amplifier - TSSOP-6

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BGS12SN6E6327XTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

BGSF12SN6 SPDT 6 GHz 0.65 dB SMT Wideband RF Switch - TSNP-6
The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications, TSNP-6-2, RoHS
Infineon SCT
RF Switch Single SPDT 0.1GHz to 6GHz 6-Pin TSNP T/R
Wideband RF SPDT Switch In Small Package
RF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6
RS APAC
SPDT Switch 30dBm 3,6V TSNP-6-2
芯片, 射频开关, SPDT, 100MHZ-6GHZ, TSNP-6;
RF SWITCH, SPDT, 100MHZ-6GHZ, TSNP-6; Frequency Response RF Min:100MHz; Frequency Response RF Max:6GHz; IC Case / Package:TSNP; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:85°C; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications. Any of the 2 ports can be used as termination of the diversity antenna handling up to 30 dBm. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. The 0.1 dB compression point exceeds the switch’s maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels. The RF switch has a very low insertion loss of 0.25 dB in the 1 GHz and 0.29 dB in the 2.5 GHz range.Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.The BGS12SN6 RF switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS including the inherent higher ESD robustness. The device has a very small size of only 0.7x1.1mm2 and a maximum height of 0.375 mm.Evaluation Board: BGS12SN6 BOARD

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BGS 12SN6 E6327
  • BGS12SN6
  • BGS12SN6 E6327
  • BGS12SN6E6327
  • SP001068580