Infineon BFR360FH6327XTSA1

BFR360F Series 9 V 35 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - TSFP-3
$ 0.135
NRND
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Datasheet15 SeitenVor 7 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 days ago)

Verwandte Teile

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 11 V, 3.2 Ghz, 150 Mw, 10 Ma, 56 Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SC5662T2LP
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BFR360FH6327XTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

BFR360F Series 9 V 35 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - TSFP-3
:210mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-60°C to +150°C; RF Transistor Case:TFSP; No. of Pins:3; SVHC:No
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 35 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 6 / DC Current Gain (hFE) = 120 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 15 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 14 / Power Dissipation (Pd) mW = 210 / Package Type = TSFP / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Transistor, RF TSFP3; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:6V; Transition Frequency Typ ft:14GHz; Power Dissipation Pd:210mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-60°C to +150°C; RF Transistor Case:TFSP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Associated Gain Ga:15.5dB; Continuous Collector Current Ic:35mA; Continuous Collector Current Ic Max:35mA; Current Ic Continuous a Max:35mA; Current Ic hFE:15mA; Gain Bandwidth ft Min:11GHz; Gain Bandwidth ft Typ:14GHz; Hfe Min:60; No. of Transistors:1; Noise Figure Typ:1dB; Output @ Third Order Intercept Point IP3:24dB; Package / Case:TSFP3; Power @ 1dB Gain Compression, P1dB:9dBm; Power Dissipation Ptot Max:210mW; SMD Marking:FB2; Termination Type:SMD; Test Frequency:1.8GHz; Transistor Case Style:TSFP; Voltage Vcbo:15V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BFR 360F
  • BFR 360F H6327
  • BFR360F
  • BFR360F H6327
  • BFR360F,H6327
  • BFR360FH6327
  • SP000750428