Infineon BFP640H6327XTSA1

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN
$ 0.238
NRND
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IHS

Datasheet21 SeitenVor 7 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 days ago)

Verwandte Teile

NXP SemiconductorsBFU550XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
NXP SemiconductorsBFU730LXZ
Trans Gp Bjt Npn 3V 0.03A 3-Pin Dfn_C T/R Rohs Compliant: Yes |NXP Semiconductors BFU730LXZ
NXP SemiconductorsBFU530XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BFP640H6327XTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN
RF TRANSISTOR, SOT-343; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 4V; Transition Frequency ft: 40GHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 50mA; DC Current Gain hFE: 180hFE; RF Transistor Case
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 4.1 / DC Current Gain (hFE) = 180 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 13 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 1.2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 42 / Power Dissipation (Pd) mW = 200 / Package Type = SOT-343 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Summary of Features: High gain low noise RF transistor; Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications; Ideal for CDMA and WLAN applications; Outstanding noise figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz ,Outstanding noise figure F = 1.2 dB at 6 GHz; High maximum stable gain :Gms = 24 dB at 1.8 GHz; Gold metallization for extra high reliability; 70 GHz fT-Silicon Germanium technology; Pb-free (RoHS compliant) package1); Qualified according AEC Q101

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BFP 640 H6327
  • BFP-640-H6327
  • BFP640
  • BFP640 H6327
  • BFP640,H6327
  • BFP640-H6327
  • BFP640H6327
  • SP000745306