Infineon BFP520H6327XTSA1

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
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Datasheet14 SeitenVor 7 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-11-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 days ago)

Verwandte Teile

NXP SemiconductorsBFU730LXZ
Trans Gp Bjt Npn 3V 0.03A 3-Pin Dfn_C T/R Rohs Compliant: Yes |NXP Semiconductors BFU730LXZ
NXP SemiconductorsBFU530XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
NXP SemiconductorsBFU550XRR
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon BFP520H6327XTSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
BFP520 Series 3.5 V 50 mA Low Noise Silicon RF Bipolar Transistor - SOT343-4
Trans RF BJT NPN 2.5V 0.05A 125mW Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-343 T/R
Bipolar 125mW 1V 30nA 10V 20V 50mA SOT-343 , 2mm*1.25mm*900¦Ìm
NPN-RF 2,5V 50mA 125mW 45GHz SOT343R
3.5V 100mW NPN - Bipolar Transistors - BJT ROHS
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
Infineon RF Bip Transisitor BFP 520F H63
NPN RF-Transistor 1,8GHz PTSFP4
RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4
RF TRANSISTOR, NPN, 2.5V, 45GHZ, SOT-343; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 2.5V; Transition Frequency ft: 45GHz; Power Dissipation Pd: 125mW; DC Collector Current: 50mA; DC Current Gain hFE: 70hFE; RF Transistor Case: SOT-343; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 2.5 / DC Current Gain (hFE) = 110 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 10 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 1 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 45 / Power Dissipation (Pd) mW = 125 / Package Type = SOT-343 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BFP 520 H6327
  • BFP-520-H6327
  • BFP520
  • BFP520 H6327
  • BFP520 H6327 XTSA1
  • BFP520,H6327
  • BFP520-H6327
  • BFP520-H6327-XTSA1
  • BFP520H6327
  • SP000745280